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CASE

    碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎

    2024年2月29日  碳化硅单晶衬底的生产流程. 01. 原料准备. 物理气相传输法(PVT)需要将Si和C按1:1合成SiC多晶颗粒粉料,其粒度、纯度都会直接影响晶体质量,特别是半绝缘

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    详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎

    2023年4月28日  碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序,切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛(CMP)。 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶

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    什么是碳化硅 (SiC)?用途和制作方法 Arrow

    2023年6月22日. 碳化硅,也称为 SiC,是一种 半导体 基础材料,由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体,或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体

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    【半导体】干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍-电子工程专辑

    2024年1月23日  碳化硅功率器件掺杂工艺中,常用的掺杂元素有:N型掺杂,主要为氮元素和磷元素;P型掺杂,主要为铝元素和硼元素,它们的电离能和溶解极限见表1(

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    英飞凌碳化硅晶圆处理黑科技——冷切割 - Infineon ...

    首先在碳化硅晶锭切片过程中,采用低温和激光技术切出晶圆片Wafer,这一步相比于锯切割对于材料的损耗几乎可以忽略不计。 在芯片工艺的最后,冷切割技术又可以替代背部减薄

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    碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

    2022年5月20日  常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术

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    SiC的化学机械抛光技术:实现超光滑表面的秘诀 - ROHM ...

    2024年2月4日  碳化硅 ( SiC )晶片的化学机械抛光技术是一种先进的表面处理技术,它结合了化学腐蚀和机械研磨的方法,对 碳化硅 晶片表面进行精细处理,以达到超光滑表面

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    碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon

    2024年4月16日  作为在碳化硅(SiC)技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商,我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。 我们的专家了解如何降低系统复杂性,从而降低中大功率系

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    碳化硅_百度百科

    2023年5月4日  碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体,在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体,用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...

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    碳化硅硬度(1-10 级)简介

    对碳化硅进行表面处理是提高其硬度的另一种方法。涂层和电镀等技术可用于提高表面硬度、减少磨损和改善润滑。涂层: 热喷涂:将熔融材料喷射到表面形成涂层。常见材料包括陶瓷、金属和聚合物。冷喷:将固体材料颗粒加速至高速,然后喷射到碳化硅表面。

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    硅烷偶联剂和阴离子分散剂对碳化硅颗粒分散效果的影响 ...

    2024年1月15日  通过粘度测试、沉降实验、SEM观察等手段研究了不同改性剂对改善超细碳化硅浆料流动性的影响。. 通过zeta电位测试、XPS测试等手段研究了它们的修饰机制。. 本文采用KH792对SiC进行初步改性,然后采用阴离子和阳离子改性剂(四甲基氢氧化铵和腐植酸钠)进行二 ...

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    碳化硅 - 意法半导体STMicroelectronics

    确保可持续发展的能源处理技术 意法半导体从事SiC研发已经超过25年,并开发了市场领先的SiC 解决方案,具有完整的供应链控制。 SiC功率器件的优势 与传统硅器件相比,基于碳化硅的功率器件具有多种关键优点。其更高的电压和频率性能实现了更高的 ...

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    碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

    2022年5月20日  徐天兵, 宋志键, 陈颖鑫, 孙亚光. 碳化硅的制备及应用最新研究进展[J]. ... Yang Y 等[4]采用空气中燃烧合成方法,并进行机械活化处理 ,成功地制备了 ...

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    碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 知乎

    2021年12月16日  针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。. 1、背景与意义. 作为半导体产业中的衬底材料,碳化硅单晶具有优

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    半导体碳化硅(SIC)干法刻蚀的基础知识详解; - 知乎

    2024年4月12日  在碳化硅的干法刻蚀中,主要的反应机理是由反应副产物的挥发性和离子化反应物的能量来决定的。. 在实践中,这反映为刻蚀气体、等离子气压、样品电极的偏压(或功率)的选择。. 氟化产物比氯化产物更易挥发,这是造成氟基气体具有更高刻蚀速率的一个

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    为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆? - 知乎

    2023年8月19日  为什么碳化硅SiC要先制作衬底,再在衬底上外延SiC 制成外延片,而不是像纯硅晶圆一样直 首页 知乎知学堂 发现 等你来答 ... 寿命的参数大概在1~2个μs左右,所以说还对高压器件的需求目前来说还没法满足,还需要后处理 ...

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    铸铁件性能差异原因在哪?碳化硅是如何提升铸件质量的 ...

    2022年1月5日  用碳化硅预处理的铁液,如果保持铸件残留镁量大致相同,球化剂的加入量可以减少10%,球墨铸铁的白口倾向得到缓解。 [2] 碳化硅在熔炼炉内,除去(1)式反应所示在铁液中增碳、增硅以外,还进行式(2)、(3)的脱氧反应,如果加入的SiC靠近炉壁,生成的SiO2会在炉壁沉积增加炉壁厚度。

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    碳化 硅晶片的高温退火处理 - 豆丁网

    2015年3月17日  采用原子力显微镜,研究了退火处理对SiC晶片(0001)面表面形貌的影响,结果表明,高温退火处理对SiC晶片表面的结构存在着“刻蚀+碳化”的双重效应。. SiC晶片表面在高温下首先会发生刻蚀效应,形成半个至一个单胞高度的台阶结构,退火温度过高或退

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    我想了解一下碳化硅的生产工艺? - 知乎

    2021年12月24日  如赵争鸣教授强调的那样,SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变,人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性,也得到了一些好处,效率提高很多,但也发现了大量问题,在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。.

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    第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎

    2021年6月11日  本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、 研究进展和产业化现状, 提出了未来努力的方向和解决的方案, 并展望了其未来的发展趋势和应用前景。. 1 碳化硅的制备方法. 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率

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    碳化硅加工废水处理方法 - 知乎

    2021年12月16日  碳化硅的硬度仅次于天然金刚石和一种黑刚玉,因此,碳化硅颗粒是优质磨削材料。作为硅片线切割刃料使用碳化硅微粉,在碳化硅微粉生产工艺中,包括碱洗、酸洗提纯,水力溢流分级处理等工艺过程,粒度不到1微米的碳化硅微粉,很难通过自然沉降的方

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    反应烧结碳化硅陶瓷注射成型工艺研究

    2016年3月3日  1.2 实验过程. 首先将一定比例的碳化硅、炭黑和硬脂酸 ( 参见下文表2) 加入到无水乙醇中,以碳化硅球为研磨介质,在尼龙球磨罐中球磨10 h;待浆料干燥后进行研磨、筛分。. 此过程旨在对陶瓷粉体进行改性处理。. 在改性后的陶瓷粉体加入有机添加剂并搅拌均匀

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    碳化硅晶片的表面处理方法-CN114290132A - 专利顾如 ...

    2021年12月30日  本专利由北京天科合达半导体股份有限公司申请,2022-04-08公开,本发明提供了一种碳化硅晶片的表面处理方法,碳化硅晶片包括A表面和B表面;其表面处理方法包括:A)将碳化硅A表面涂覆树脂膜,得到平整的A表面的碳化硅;B)将A表面固定,将B ...

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    碳化硅检测项目及相关标准和方法 - 知乎

    2023年8月16日  酸处理失量是指碳化硅 样品经过盐酸和氢氟酸处理后,所减少的重量百分比,它反映了碳化硅中可被强酸溶解的杂质含量,如表面杂质、二氧化硅、金属氧化物等。酸处理失量的测定方法是将干燥后的碳化硅样品用盐酸和氢氟酸溶液混合消解 ...

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    碳化硅 - 维基百科,自由的百科全书

    2024年4月15日  碳化硅存在着约250种结晶形态。[24] 由于碳化硅拥有一系列相似晶体结构的同质多型体使得碳化硅具有同质多晶的特点。 这些多形体的晶体结构可被视为将特定几种二维结构以不同顺序层状堆积后得到的,因此这些多形体具有相同的化学组成和相同的二维结构,但它们的三维结构不同。

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    一种碳化硅晶体高温退火处理方法[发明专利]_百度文库

    2015年2月18日  技术领域 [0001] 本发明涉及碳化硅晶体的制备,具体涉及一种碳化硅晶体高温退火处理方法。 背景技术 [0002] 以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料,是继以硅和砷化镓为代表的第一代、 第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料。

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    《炬丰科技-半导体工艺》氢氟酸蚀刻后氧化碳化硅表面的化学 ...

    2021年12月1日  书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:氢氟酸蚀刻后氧化碳化硅表面的化学性质 编号:JFKJ-21-742 作者:炬丰科技 摘要 ... 这个表面已经成为表面科学研究的标准,也是微电子、能源和传感器应用的硅器件处理的重要组成部分。

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    碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon Technologies

    2024年4月16日  我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品(包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET)的扩展。. 如今,英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合,从超低压到高压功率器件等不一而足。. 我们不仅要确保提供最适合的解决方案,还要进一步优化基于

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