碳化硅处理

在线留言

请将您的问题反馈给我们，我们将尽快与您取得联系

碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎

2024年2月29日碳化硅单晶衬底的生产流程. 01. 原料准备. 物理气相传输法（PVT）需要将Si和C按1:1合成SiC多晶颗粒粉料，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量，特别是半绝缘

了解更多

详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎

2023年4月28日碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶

了解更多

什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow

2023年6月22日. 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体

了解更多

【半导体】干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍-电子工程专辑

2024年1月23日碳化硅功率器件掺杂工艺中，常用的掺杂元素有：N型掺杂，主要为氮元素和磷元素；P型掺杂，主要为铝元素和硼元素，它们的电离能和溶解极限见表1（

了解更多

英飞凌碳化硅晶圆处理黑科技——冷切割 - Infineon ...

首先在碳化硅晶锭切片过程中，采用低温和激光技术切出晶圆片Wafer,这一步相比于锯切割对于材料的损耗几乎可以忽略不计。在芯片工艺的最后，冷切割技术又可以替代背部减薄

了解更多

碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

2022年5月20日常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术

了解更多

SiC的化学机械抛光技术：实现超光滑表面的秘诀 - ROHM ...

2024年2月4日碳化硅（ SiC ）晶片的化学机械抛光技术是一种先进的表面处理技术，它结合了化学腐蚀和机械研磨的方法，对碳化硅晶片表面进行精细处理，以达到超光滑表面

了解更多

碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon

2024年4月16日作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。我们的专家了解如何降低系统复杂性，从而降低中大功率系

了解更多

碳化硅_百度百科

2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...

了解更多

碳化硅硬度（1-10 级）简介

对碳化硅进行表面处理是提高其硬度的另一种方法。涂层和电镀等技术可用于提高表面硬度、减少磨损和改善润滑。涂层：热喷涂：将熔融材料喷射到表面形成涂层。常见材料包括陶瓷、金属和聚合物。冷喷：将固体材料颗粒加速至高速，然后喷射到碳化硅表面。

了解更多

硅烷偶联剂和阴离子分散剂对碳化硅颗粒分散效果的影响 ...

2024年1月15日通过粘度测试、沉降实验、SEM观察等手段研究了不同改性剂对改善超细碳化硅浆料流动性的影响。. 通过zeta电位测试、XPS测试等手段研究了它们的修饰机制。. 本文采用KH792对SiC进行初步改性，然后采用阴离子和阳离子改性剂（四甲基氢氧化铵和腐植酸钠）进行二 ...

了解更多

碳化硅 - 意法半导体STMicroelectronics

确保可持续发展的能源处理技术意法半导体从事SiC研发已经超过25年，并开发了市场领先的SiC 解决方案，具有完整的供应链控制。 SiC功率器件的优势与传统硅器件相比，基于碳化硅的功率器件具有多种关键优点。其更高的电压和频率性能实现了更高的 ...

了解更多

碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

2022年5月20日徐天兵, 宋志键, 陈颖鑫, 孙亚光. 碳化硅的制备及应用最新研究进展[J]. ... Yang Y 等[4]采用空气中燃烧合成方法，并进行机械活化处理，成功地制备了 ...

了解更多

碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 知乎

2021年12月16日针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。. 1、背景与意义. 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优

了解更多

半导体碳化硅(SIC)干法刻蚀的基础知识详解； - 知乎

2024年4月12日在碳化硅的干法刻蚀中，主要的反应机理是由反应副产物的挥发性和离子化反应物的能量来决定的。. 在实践中，这反映为刻蚀气体、等离子气压、样品电极的偏压（或功率）的选择。. 氟化产物比氯化产物更易挥发，这是造成氟基气体具有更高刻蚀速率的一个

了解更多

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ - 知乎

2023年8月19日为什么碳化硅SiC要先制作衬底，再在衬底上外延SiC 制成外延片，而不是像纯硅晶圆一样直首页知乎知学堂发现等你来答 ... 寿命的参数大概在1~2个μs左右，所以说还对高压器件的需求目前来说还没法满足，还需要后处理 ...

了解更多

铸铁件性能差异原因在哪？碳化硅是如何提升铸件质量的 ...

2022年1月5日用碳化硅预处理的铁液，如果保持铸件残留镁量大致相同，球化剂的加入量可以减少10%，球墨铸铁的白口倾向得到缓解。 [2] 碳化硅在熔炼炉内，除去（1）式反应所示在铁液中增碳、增硅以外，还进行式（2）、（3）的脱氧反应，如果加入的SiC靠近炉壁，生成的SiO2会在炉壁沉积增加炉壁厚度。

了解更多